技术编号：2674601
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺，具体而言涉及一种制造半导体器件的过程中所使用的光刻工艺方法。背景技术随着集成电路的芯片集成度越来越高，半导体器件的设计规则从65nm缩小到45nm,目前已向32nm甚至更小尺寸的工艺进行挑战。在缩小工艺尺寸的过程中，光刻工艺是最重要的步骤之一。在超大规模集成电路中，器件的关键尺寸(Critical Dimension, CD)的均勻性决定了器件整体的性能。特别是，栅电极的CD是否均匀会影响半导体器件的阈值电压分布以及总的良率。而栅...
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