技术编号:26753302
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。制造半导体器件的方法.本申请是申请日为年月日、申请号为.、发明名称为“制造半导体器件的方法”的专利申请的分案申请。技术领域.本发明构思涉及制造半导体器件的方法,更具体地,涉及可改善台阶覆盖率的制造半导体器件的方法。背景技术.当在三维(d)结构上形成材料层时,台阶覆盖率可以被定义为材料层的最小厚度与材料层的最大厚度的比率。台阶覆盖率可以是所形成的材料层的厚度均匀性的测量结果之一。随着d结构的高宽比增大,台阶覆盖率会降低。因此,当在具有高的高宽比的d...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。