技术编号：26760828
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。用于‑d ic用途的可激光剥离的结合材料背景技术.相关申请.本申请要求年月日提交的题为“用于‑d ic用途的可激光剥离的结合材料”的美国临时专利申请系列第/,号的优先权，其通过引用全文纳入本文。发明领域.本发明涉及在临时晶片结合工艺中使用的、或在再分布层形成期间作为堆积层使用的可激光剥离的组合物。.相关领域的描述.临时晶片结合(“twb”)通常是指通过聚合物结合材料使器件晶片或微电子基材附着到载体晶片或基材上的工艺。在结合后，通常可以将器件晶片打薄至...
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