技术编号：2680241
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体制造领域的光刻工艺过程，尤其涉及一种烘烤设备。背景技术在半导体制造的光刻工艺中涉及多个烘烤步骤，首先在晶圆表面上旋转涂布光刻胶或抗反射涂层，经过一个称为软烘(Soft Bake)的 步骤，软烘的目的是去除光刻胶中的溶齐U。软烘可增强光刻胶的黏附性，释放光刻胶膜内的应力，提高光刻胶均匀性。然后对晶圆进行曝光，再进行一个称为曝光后烘烤(post exposure bake)的步骤，以加快光酸的催化反应或减少驻波的影响。随后进行显影将图形显现...
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