技术编号：2682902
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种集成电路制程的曝光方法，特别是涉及一种能精确定位光罩，以减少曝光后线路图像误差的。背景技术微影制程(photolithography)是半导体制程中最重要的步骤之一，凡是与MOS结构相关的，例如各层薄膜的图像(pattern)、掺杂区域(dopants)等等，均是由此制程决定。而，微影制程的技术层次，一般不但由所需使用光罩(mask)数量所决定，且由于光罩使用数量愈多，即代表需定位光罩的次数愈多，而愈可能造成定位校正误差，进而影响组件的积集度...
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