技术编号：2683371
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种像素结构，特别是有关于一种高穿透率及可有效控制电容耦合效应的像素结构。背景技术在垂直配向(vertical alignment, VA)的广视角技术中，液晶分子在其不同相位交界处的效率不佳，致整体面板的穿透率下降；另外，在半导体工艺中由于金属走线是不透光的，亦会导致面板穿透率下降；一般而言，在像素电极的设计上会最佳化穿透率，例如将液晶效率不佳的面积减少是设计者的共识，但，此动作往往带来光学品味上的问题，例如电容耦合效应过大，产生串音现象，...
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