技术编号：2683613
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于集成电路制造工艺中的光刻技术，特别是一种反射型投影光学系统。 背景技术光刻系统分辨率可由如下等式描述RES = Ii1 X λ /NA式中，RES表示光刻系统分辨率，Ii1是光刻工艺因子，λ是曝光波长，NA是光刻物镜的像方数值孔径。从上式可以知道，减小工作曝光波长，利于提高光刻系统分辨率。目前的高分辨率光刻系统主要采用193nm曝光波长，如果能将曝光波长缩短至13nm(极紫外光)，则能有效提高光刻系统分辨率。由于所有实用的光学材料在极紫外波段都有...
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