技术编号：2683942
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路领域，更具体地，涉及用于双重图样化设计的掩模偏移感知RC提取。背景技术双重图样化是为光刻开发来增大部件密度的技术。通常，为了在晶片上形成集成电路的部件，使用光刻技术，该技术包括涂覆光刻胶并在光刻胶上限定图样。图样化光刻胶中的图样首先在光刻掩模中被限定，并且通过光刻掩模中的透明部分或不透明部分来实 施。然后，图样化光刻胶中的图样被转印到被制造的部件。随着集成电路持续的比例缩小，光学临近效应产生越来越大的问题。当两个独立的部件彼此太接近时，光...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。