技术编号：2684646
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体工艺领域，更具体地，涉及。背景技术微型制造传统上使用光刻法或者光学光刻工艺，用于选择性去除衬底的多个部分，或者位于衬底上的材料层的多个部分。例如，光刻法使用直射光(福射光)源，从而将图案从光掩模(还称作掩模或中间掩模)转印到形成在衬底或材料层上的光敏抗蚀材料，从而在抗蚀材料中生成曝光图案。然后，可以将化学处理用于蚀刻，或者将在抗蚀材料中的曝光图案转印到衬底或材料层。最近，微型制造实施其他光刻类型，例如，带电粒子光束光亥IJ，这不需要制造转印...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。