技术编号：26849546
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本申请属于半导体技术领域，具体涉及三维存储器及其制备方法、电子设备。背景技术.由于三维存储器的功耗低、质量轻、并且属于性能优异的非易失存储产品，在电子产品中得到了越来越广泛的应用。但同时用户对三维存储器的期望值与要求也越来越高。三维存储器的传统制备方法大体为：先在衬底上先依次层叠沉积牺牲层与叠层结构，再形成nand串与栅缝隙，随后去除牺牲层以形成空隙。随后去除空隙内的nand串外围的存储器层露出沟道层。再利用化学气相沉积法在空隙内形成半导体材料层。但在去除牺牲层的过程中，可能会损坏底部半导...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。