技术编号：2685165
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光刻工艺，本发明特别是涉及曝光装置的投影光学系统的性能检查方法和检查用的光掩模。背景技术 随着构成半导体器件的图案的最小线宽度、最小周期逐年微细化，目前对该图案进行分辩的曝光装置所要求的最小分辩像线宽度已小于100nm。曝光装置的最小分辩像周期由曝光波长λ和投影透镜的开口数量(NA)确定。为了形成更微小的的图案，可使曝光波长λ形成较短的波长，增加NA。为了实现该目的，对曝光光的波长进行减短处理。近年，氟化氩(ArF)准分子激光曝光装置(λ＝193...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。