技术编号：2685602
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了，属于光刻照明。背景技术当前的大规模集成电路普遍采用光刻系统进行制造。光刻系统主要分为照明系统、掩膜、投影系统及晶片等四部分。光源发出的光线经过聚光镜聚焦后入射至掩膜；经过掩膜后，光线经由投影系统入射至涂有光刻胶的晶片上，这样就将掩膜图形复制在晶片上。极紫外光刻EUVL是以波长为11 14nm的极紫外EUV射线为曝光光源的微电子光刻技术，适用于特征尺寸为32nm及更细线宽的集成电路的大批量生产。投影式光刻机的核心部件是投影曝光光学系统，该系统最...
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