技术编号：2685663
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及显示，特别涉及阵列基板的制作方法、阵列基板和显示装置。背景技术现有技术中制作TFT-LCD(Thin Film Transistor LCD，薄膜场效应晶体管液晶显示器)像素区部分薄膜晶体管器件时，为了减少关态电流Ioff，可采用多栅极结构或者掺杂结构，由于多栅极结构会降低像素开口率，所以多采用掺杂结构的薄膜晶体管。现有技术在制作像素部分薄膜晶体管器件时，需要通过额外的掩膜制作光阻图案层，在其光刻蚀程序中，曝光时很容易因对准误差而产生掺杂结构偏移...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。