技术编号：2686288
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光刻，具体地说是一种平面光刻工艺在小尺寸图形制作中的优化方法，可用于在深台阶底部制作细线条图形，适用于小尺寸图形多台阶器件结构的图形制作。背景技术光刻是半导体器件制作过程中出现最多的工艺步骤，光刻质量和精度直接影响后续工艺的质量和精度。光刻按照曝光方式可将曝光分为接触式、接近式和投影式。接触式光刻机光刻广泛应用于微米、亚微米量级半导体器件制作工艺中，一般在原始衬底或者台阶较小的衬底(台阶小于几个微米)上进行，涂胶多采用薄胶，胶厚在Iu nT3 范...
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