技术编号：2686529
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光刻胶组合物，及更特别地，涉及光刻胶单体，其聚合物以及包含该聚合物的光刻胶组合物，其中因为具有饱和环烃基的醇酯脱保护反应的活化能较低，所以所述组合物可改进光刻法的分辨率、工艺裕度(process margin)等等。背景技术近来，由于半导体装置的集成度和精密度增加，使得在光蚀刻工艺中为了产生这样的半导体装置需要形成半间距小于90nm的超精细的光刻胶图案。从而，在光刻法中曝光波长也降至193nm以下，并开发了多种用于优化所述图案形成过程的技术。除此...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。