技术编号：2688438
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种。背景技术光刻エ艺是制作大規模集成电路的关键エ艺之一。光刻エ艺是将光掩模板上的版形转移到光刻胶薄膜中，含有版形的光刻胶膜被用于后续离子注入或刻蚀制程的掩模。光掩模在光刻エ艺中承担了重要的角色。随着半导体芯片的集成度不断提高，晶体管的特征尺寸不断縮小，对光刻エ艺的要求越来越高，相移光掩模逐渐成为高端光刻エ艺的主流光掩模。如图IA所不,相移光掩模是通过对相移光掩模基板的光刻一刻蚀一光刻一刻蚀过程来制作。相移光...
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