技术编号：2689426
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种(optical proximitycorrection，OPC)，尤指涉及一种在进行基准式(rule-based)光学接近修正后，再将散射条(scattering bar)等辅助图案加入修正后的光掩膜图案的。背景技术 在半导体制程上，为了将集成电路(integrated circuits)的图案顺利地转移到半导体芯片上，必须先将电路图案设计在光掩膜布局图上，再依据光掩膜布局图所输出的光掩膜图案(photomaskpattern)来制作光掩膜...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。