技术编号:26900054
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及坩埚加工技术领域,尤其涉及一种铱坩埚。背景技术.铱坩埚使用贵金属铱作为原料,由于铱价值昂贵,近年来铱坩埚的壁厚持续减薄,经过多年持续减薄,铱坩埚的壁厚只有初始设计值的~%,而坩埚的热负荷不变。.由于温度控制的需要,坩埚埚壁的下端是温度最高区域,比埚壁上端的温度约高~摄氏度。当生长熔点较高的人工晶体时,如lyso的熔点为摄氏度,坩埚埚帮底部的温度十分接近铱的熔点,如图所示。.铱坩埚置于中频感应器中,因感应涡流而发热。受集肤效应的影响,电流集中在坩埚的外...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。