技术编号：2690030
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件，尤其涉及一种。背景技术在集成电路的制造过程中，一般而言，首先将光刻胶涂覆在晶圆表面；然后通过光罩对所述光刻胶进行曝光；随后进行曝光后烘烤以改变所述光刻胶的物理性质；最后进行显影后检测。显影后检测的主要步骤是对光刻胶图案的关键尺寸(CriticalDimension, CD)进行量测，以判断其是否符合规格。如果符合规格，则进行后续的刻蚀工艺，并将所述光刻胶图案转移到所述晶圆上。 但是，随着半导体制造技术的发展，微型尺寸的需求日益增加，关...
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