技术编号：2690050
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路装备制造，特别涉及。背景技术现行主流光刻机的曝光视场的最大面积为26*33mm，而实际应用中某些单个芯片的尺寸要大于光刻机的曝光场，例如全幅CIS的芯片尺寸为36*24mm，摄影棚用相机的尺寸为如60*60_。对于这种超过光刻机曝光视场的芯片的制造,需要使用拼接工艺来制造大于光刻视场的芯片。传统光刻中，芯片尺寸小于或者等于光刻机的曝光市场，单次曝光完成单个芯片的光刻。芯片周围的切割道(Scribe line)中可以放置线宽和套刻等测量标记...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。