技术编号:26922880
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。包含疏水化熔融二氧化硅的低损耗介电复合材料.相关申请的交叉引用.本申请要求年月日提交的美国临时专利申请序列号/,的权益。相关申请通过引用整体并入本文。背景技术.电路材料在高频率或高数据传输速率下运行的高性能电路应用受益于具有低介电损耗(也被称为耗散损失)和低插入损耗的材料。.耗散因数为耗散系统中的振荡的电模式的能量损耗速率的测量。电势能在所有介电材料中均一定程度地耗散,通常表现为热,并且可以根据介电材料和振荡的电信号的频率而变化。.插入损耗为当进出给定电路...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。