技术编号：2693452
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造中使用的光刻工艺，特别是，本发明涉及用于制造光掩模系统中的改性照度(Illumination)的相位光栅图形和制造具有相位光栅图形的光掩模的方法。背景技术 光刻工艺广泛地用于在制造半导体器件中转移图形图像。然而，必须提高光刻工艺的分辨率以满足具有越来越高的集成密度的半导体器件的当前需求，即满足在越来越小的设计规则下制造半导体器件的需求。光刻工艺的分辨率可能由几个因素限制，如曝光光源的波长、投影透镜的数值孔径、焦深、工艺参数等。然而，提高...
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