技术编号:26937631
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及存储器技术领域,特别是关于磁性随机存储器架构。背景技术.磁性随机存储器(mram)作为一种非易失性存储器应用于电子设备的集成电路中,并提供数据存储功能,其中数据通过编程作为mram位单元的一部分的的磁性隧道结(magnetic tunnel junction;mtj)来存储。mram的优点在于,即使在断电状态下,mtj的位单元仍可以正常保持所存储的信息,这是因为数据作为磁性组件存储在mtj中。mtj是由两层铁磁性材料夹着一层非常薄的非铁磁绝缘材料组成的,下面的一层铁磁材料是具有固...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。