技术编号:26938791
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体技术领域,尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。背景技术.电阻式随机存取存储器(resistance random access memory,rram)是新兴的下一代非易失性存储设备。rram单元使用电阻值而非电荷来存储数据。rram单元通过使通常绝缘的可变电阻介电材料在被施加足够高的电压后形成的细丝或导电路径导通来工作,所述的可变电阻介电材料被设置在顶部电极层和底部电极成之间,可以被称为阻变层。特别地,每个rram单元都包括阻变层,该阻变层的电阻可以被调整为代表逻辑″″...
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