技术编号：26941368
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构的形成方法。背景技术.随着超大规模集成电路性能的不断提高、器件尺寸的逐渐缩小及密度不断增大，在半导体制程的后段金属制程中，业界选用铜和低介电常数材料作为后段金属互连及金属间介电质材料(imd，inter-metal dielectric)，以减小互连的电阻电容延迟(rc delay)；又因铜具有易扩散、难刻蚀等特点，业界引入了镶嵌工艺，其特点就是先在带有器件的衬底上形成中间介质层并刻蚀出沟槽，然后淀积铜进入刻蚀好的图形中，并应用平...
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