技术编号:26949680
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种改善pmos晶体管短沟道效应的方法技术领域.本发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种改善pmos晶体管短沟道效应的方法。背景技术.如图所示,图显示为现有技术中nmos器件中阈值电压随沟道长度变化的曲线示意图。由图可知,当mos晶体管在沟道长度(channel length)缩短到与源漏两区结深可以比拟时,将出现短沟道效应,随着沟道长度的缩短,器件的阈值电压vt将降低。.因此,需要提出一种新的方法来解决上述器件阈值电压降低的问题。发明内容.鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的...
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