技术编号：2698739
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的制造方法，尤其涉及在制作金属导线连接过程 中，。背景技术随着ULSI(超大规模集成)技术的飞速发展，半导体设备的布线设计原则的 小型化在不断进展。被集成的元件数量在增加，大规模集成电路的布线更为 复杂，在此情况下，多层互连吸引了注意力，通孔鴒塞沉积便是其中关键的 一种互连技术。互连技术对产品成品率的提高起着关键性的作用。现有形成通孔金属连接的方法请参考申请号为200310122396中国申请专 利公开的技术方案。如图1A所示，首先，用...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。