技术编号：2701346
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种，包括将表面设有光刻胶图形的基底置于真空室中；用带状离子束对光刻胶图形进行离子注入，以减小光刻胶图形的低频线宽粗糙度。进行离子注入之后，光刻胶图形的低频线宽粗糙度会显著地减小。专利说明 [0001]本发明涉及半导体，特别是涉及一种。 背景技术 [0002]半导体制造工艺中的缺陷是影响半导体器件的良率以及器件性能的一个主要因素。特别对于如今的半导体制造业，当器件尺寸减小到lOOnm以下时，对于光刻工艺的要求尤为严格。例如，在光刻工艺...
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