技术编号：2702659
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种建立OPC模型的方法、布局图形的检查方法，其中，所述建立OPC模型的方法得到的最终的OPC模型考虑了后续刻蚀晶圆时允许的光刻胶层的最小厚度，利用该最终的OPC模型进行模拟时，可以有效的找到由于光刻胶层厚度损失对在晶圆上形成的最终图形的精确度造成影响的区域，以利于后续修改光掩模图形，使得利用该修改后的光掩模图形曝光光刻胶层，以所述光刻胶层为掩膜刻蚀晶圆形成的最终图形的精确度高。专利说明建立OPC模型的方法、布局图形的检查方法 [0001]本发明涉及...
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