技术编号：2703805
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。，使用氢化非晶硅在铌酸锂基底上制备波导结构，利用非晶硅的高折射率可以有效减小波导尺寸，从而减小铌酸锂光调制器上金属电极之间的间距，进而使得所需调制电压低。优选使用氢化非晶硅制作波导芯片，其SiH链的存在能够减小光学损耗。可以通过调节氢化非晶硅的厚度在保证波导尺寸的前提下最大化器件的光电效应。通过控制二氧化硅的厚度以及金属电极的厚度，能够保证较好的射频匹配，而与外界连接的光纤接口通过在穿过波导层的波导线实现，由于上述波导线都在波导层，能够留足封装或测试的金属...
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