技术编号：2711033
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种，包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成光刻胶层，所述光刻胶层的厚度大于等于1微米；对所述光刻胶层依次进行软烘和曝光；在所述曝光后的光刻胶层表面喷洒润湿剂，优化所述喷洒参数，在所述曝光后的光刻胶层表面形成润湿层；对表面润湿后的光刻胶层进行显影处理，形成图案化的光刻胶层。采用本发明的方法提高了对厚光刻胶的显影均匀性，并使其在不产生泡状缺陷的前提下大幅缩短形成图形化的光刻胶时间，提高生产效率。专利说明[0001]本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种。背景...
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