技术编号：2711283
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，其所述包括如下步骤a.在镀有铬金属膜的基板上涂布光刻胶层；b.利用光刻胶掩模板对上述光刻胶层进行图形化，以在所述光刻胶层上得到光刻胶掩模图形；c.利用光刻胶掩模板对光刻胶层的光刻胶掩模图形进行氧等离子体处理，以利用氧等离子体去除掩模图形内对应的有机物残留；d.去除上述光刻胶掩模板并利用光刻胶掩模图形作为保护层，对铬金属膜进行湿法刻蚀，以在铬金属膜上形成金属膜图形；e.去除上述光刻胶层。本发明工艺步骤简单，能对有机物残留进行有效去除，避免铬残...
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