技术编号：2711363
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。包括以下步骤提供晶圆，所述晶圆划分为若干个曝光单元，所述曝光单元上形成有前段晶圆对准标记；制作第一光罩，通过晶圆切口对准方式将所述第一光罩与所述晶圆对准，并打开所述多个前段晶圆对准标记；制作第二光罩，通过光刻机对准系统将所述第二光罩与所述第一光罩已打开的多个前段晶圆对准标记对准，打开所述晶圆的所有前段晶圆对准标记，并在后续的光刻工艺中正常曝光并采用套刻值补偿的方式实现器件的精确对准。本发明的技术方案提高了现有技术三维集成电路制程中光刻对准的精度...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。