技术编号：2711900
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种，包括提供衬底，在衬底的一侧表面上依次层叠有下包层和芯层材料层；在芯层材料层背离衬底一侧的表面上形成多晶硅层，形成多晶硅层的环境温度为500℃～600℃。本发明所提供的制作方法，通过将形成多晶硅层的环境温度由原来的620℃降低至500℃～600℃，使多晶硅材料的沉积速率减慢，从而使晶粒变小，膜层致密性和反射率增大，进而使后续所形成的多晶硅掩膜的尺寸误差减小，侧壁的平整度提高，利用图案化后的多晶硅作为掩膜蚀刻芯层材料层所得到的芯层的尺寸与理想...
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