技术编号：2712106
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了提供一浅层离子注入层的光刻版图图形；从光刻版图图形中找出落在浅沟槽隔离区上的图形边界；图形边界到位于光刻胶打开区域的第一前层图形的距离为第一尺寸，且图形边界到位于光刻胶覆盖区域的第二前层图形的距离为第二尺寸；若第一尺寸的值小于第二尺寸的值，将图形边界朝第二前层图形的方向移动距离A1，否则，将图形边界朝第一前层图形的方向移动距离A2，A1的值小于第二尺寸的值，A2的值小于第一尺寸的值；利用浅离子注入层版图中多余距离空间，达到增加光刻工艺窗口的效果...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。