技术编号：2714958
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种，所述结构包括Si基底，所述Si基底上依次设有SiO2层、耦合层和SiO2覆层；其中，所述耦合层由反向对接的第一直角楔形结构和第二直角楔形结构组成；所述第一直角楔形结构，由Si3N4层组成；所述第二直角楔形结构，由Si3N4上层、SiO2中间层和Si3N4下层组成；所述第一直角楔形结构作为半导体激光器的入射端；所述第二直角楔形结构连接TriPleX双条形波导。本发明解决了半导体激光器与TriPleX双条形波导直接耦合存在较大损耗的问题。专利...
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