技术编号:2716125
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了,包括衬底(101),位于衬底(101)上的单晶硅层(102)及位于单晶硅层(102)上的正交狭缝结构,正交狭缝结构包括正交结构的狭缝区域(104,105,107),位于狭缝区域(104,105,107)正交交汇的中心区域(108)及包围狭缝区域(104,105,107)的周围区域(103,106),中心区域(108)的折射率小于狭缝区域(104,105,107)的折射率,周围区域(103,106)的折射率大于狭缝区域(104,105,107)...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。