技术编号：2716934
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光电集成以及光电探测，公开了一种硅基二氧化硅波导和探测器垂直耦合结构，包括衬底、波导、上包层和探测器；衬底为硅衬底，其上形成波导，波导上形成上包层，上包层上通过去薄形成凹陷，凹陷内形成波导本体电极，探测器光敏面使用导光树脂层与波导耦合，波导中光的传输方向与探测器光的引出方向垂直，探测器电极与波导本体电极通过导电树脂层相连。本发明通过采用树脂粘接的方式，替代了传统光电集成方法所使用的半导体工艺，制作成本降低；同时垂直耦合方法使用波导上表面探测光强，...
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