技术编号:27208827
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种igbt器件技术领域.本申请涉及半导体技术领域,特别是涉及一种igbt器件。背景技术.绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,igbt)是由双极型三极管(bjt)和绝缘栅型场效应管(mosfet)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有mosfet器件的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点,由于igbt具有驱动功率小而饱和压降低的优点,目前igbt作为一种新型的电力电子器件被广泛应用到各个领域。.本申请的发明人在长期的研发...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。