技术编号：2726255
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于高速、驱动电压低、且DC偏压小、制作成品率高的光调 制器的领域。背景技术象铌酸锂(LiNb03)那样，通过施加电场改变折射率，在所谓的具有 光电效应的基板(以下，将铌酸锂基板简称为LN基板)上形成光导和行波 电极的行波电极型铌酸锂光调制器(以下，简称为LN光调制器)，因其良 好的线性调频脉冲特性而适用于2.5Gbit/s、 10Gbit/s的大容量光传送系统。 最近，正在研究应用于更大容量的40Gbit/s的超大容量光传送系统，有望作 为关键设备...
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