技术编号：2727626
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及纳米材料、器件，具体是指一种通过电子束光刻来构造亚10纳米间隙(Gap)及其阵列的方法。背景技术 微、纳米构造技术是当今信息技术与半导体工业中的最基本的关键技术。随着技术的发展，人们迫切需要开展对单个纳米结构中电子传输，单分子光电性能检测以及单分子/单粒子等量子器件方面的研究。因此，纳米级的Gap结构，特别是亚10纳米的Gap结构的构筑能够提供这种研究的途径。采用光刻和电化学沉积相结合的方法，能够制备出纳米尺度的Gap结构。但是需要光刻和沉积两个...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。