技术编号：2727740
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光刻工艺，尤其涉及。 背景技术在半导体制造领域中，当半导体器件的图形通过光刻转移到覆盖在晶圓上 的光刻胶上后，还需将该覆盖有光刻胶的晶圓设置在刻蚀设备中进行刻蚀以将 光刻胶上的器件图形转移到晶圓上。随着半导体最小特征尺寸的不断减小，现 通常使用干法刻蚀来在晶圓上形成器件图形。在等离子体干法刻蚀机台中进行干法刻蚀时，晶圆需设置在静电吸盘(ESC)上，且晶圓周边设置有边缘环(Edge Ring),边缘环的存在可将进行刻蚀的等离子体汇聚在正对晶圓的区域...
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