技术编号：2727973
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种可作为用于制备半导体元件等的光刻胶组合物的成分的化合物，该化合物可降低光刻胶组合物的基片依赖性，本发明还涉及加入了该化合物的光刻胶组合物。根据高集成度半导体器件对超细加工的需要，最近在石印方法中使用的曝光光源已从i-谱线(365nm)变为一种具有更短波长的光源如KrF激发物激光(248nm)、ArF激发物激光(193nm)或电子束。与从高压水银灯变为激发物激光作为曝光光源相一致，要求使用的光刻胶组合物是高灵敏性的，因此迄今为止使用的溶解抑制性...
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