技术编号：2728950
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及例如在薄膜晶体管(TFT)元件等半导体装置用的图形形成过程中可以利用的抗蚀剂的回流方法以及使用其的图形形成方法和液晶显示装置用TFT元件的制造方法。背景技术 近年来，半导体装置的高集成化与微细化正在进展。但是，如果进行高集成化或微细化，则半导体装置的制造过程复杂化，制造成本增加。因此，为了大幅度地降低制造成本，而研究统合光刻技术用的掩模图形的形成工序以缩短总体的工序数。作为削减掩模图形的形成工序数的技术，提出通过在抗蚀剂上浸透有机溶剂而使抗蚀剂软...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。