技术编号：2729104
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体光刻技术，特别涉及一种用于刻蚀宏负载效应 测试的光刻技术。 背景技术等离子体刻蚀速率对刻蚀面积之间的关系称为负载效应(loading effect)。这种效应可从理论上来解释，并可作为我们考虑选用固定时间 与终点侦测的刻蚀模式的依据。尤其是光刻掩膜版的穿透率特性决定了曝 光面积的大小，因此直接造成整体宏负载(macroloading)与局部微负载 (microloading)的负载效应。为了微调刻蚀制程参数，以达到最佳工艺表现，芯片曝光...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。