技术编号：2730872
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及图形形成方法和图形形成装置，例如通过在半导体设 备中使用的液浸曝光，使抗蚀膜曝光成规定的图形，并使曝光图形显 影，从而形成规定的抗蚀图形。背景技术在半导体设备的光刻工序中，在半导体晶片(以下简称"晶片") 上涂布抗蚀剂，根据规定的电路图形使由此形成的抗蚀膜曝光，对该 曝光图形进行显影处理，从而在抗蚀膜上形成电路图形。通过这种光刻工序，能够在最前端的区域形成线宽为90nrn (90nm 节点，node)左右的微细的电路图形。近来，半导体设备电路图形...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。