技术编号：2731142
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施方式主要涉及在半导体器件制造中使用的光掩模，更具体 地，涉及远紫外光(EUV)光掩模及其刻蚀方法。背景技术在集成电路(IC)、或芯片制造中，代表芯片的不同层的图案在一系列可 重复使用的光掩模(在此也称为掩模)上产生从而在制造工艺期间将每个芯片 层的设计转移到半导体衬底上。掩模类似于照相底片使用以将每层的电路图案 转移至半导体衬底上。这些层使用一系列的工序形成并转移至小型晶体管和由 每个完整芯片组成的电路中。因此，掩模中的任何缺陷可转移至芯片，潜...
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