用于光掩模刻蚀的终点检测的制作方法技术资料下载

技术编号:2732163

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本发明的实施方式主要涉及集成电路的制造以及涉及在集成电路的制造 中使用的掩模制造。背景技术微电子或集成电路器件的制造一般涉及需要在半导体、电介质和导电衬底 上执行的数百个独立步骤的复杂工艺。这些工艺步骤的实施例包括氧化、扩散、 离子注入、薄膜沉积、清洁、刻蚀和光刻。使用光刻和刻蚀(常称为图案转移 步骤),预期的图案首先转移至光敏材料层,例如,光刻胶,并然后在后续刻 蚀期间转移至下方材料层。在光刻步骤中,涂覆的光刻胶层通过掩模或包含图 案的光掩模而暴露于辐射...
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