技术编号：2732522
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件及制作领域，尤其涉及。 背景技术在半导体工艺集成度愈高工艺尺寸愈小的情形下，工艺步骤复杂程度及困 难度也愈来愈高，因此必须在工艺中利用量测设备进行工艺监控，以实时反 映问题，降低因工艺错误所造成的损失。半导体工艺中的光刻工艺可说是最举足轻重的步骤之一。凡是与MOS组 件结构相关的各层图案及掺杂区域都是由光刻工艺来决定。而通常决定晶圆 的光刻工艺成败的因素，除了关键尺寸(Critical Dimension, CD)的控制外， 另一重要者...
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