技术编号：2732558
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及的是一种提高光刻掩模版特征线宽均一性的技术，属于微细工程领域，适用 于电子東和激光東图形发生器。背景技术在微细工程领域里，光学光刻技术是一项关键的技术。由于光学光刻技术相比于其他光 刻技术具有速度快的优势，目前微细工程领域最大的应用是大规模集成电路的生产，广泛 使用光学光刻技术。光学光刻技术中的核心部件是光刻掩模版，在大规模集成电路生产中 光刻机(如NIKON NSR-S206系列机台，ASML PAS5500系列机台，CANON FPA5500...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。